Samsung nu își poate moderniza fabrica din Texas în ritm cu creșterea cererii

Samsung se confruntă cu o cerere incredibilă pentru produsele sale, mai ales pentru cipurile de memorie. În plus, are parte și de un interes tot mai mare pentru tehnologia sa avansată de fabricare a cipurilor.

Din când în când, piețele semiconductorilor înregistrează o creștere generală importantă. În prezent, acestea sunt într-una dintre perioadele menționate.

Samsung vrea să profite la maximum de această creștere generațională

Compania dorește să profite la maximum de aceste oportunități pentru a face bani din plin. În acest scop, lucrează din greu pentru a moderniza fabrica sa de cipuri din Taylor, Texas.

Samsung a cheltuit zeci de miliarde de dolari pentru a construi o unitate de producție de cipuri de ultimă generație în Taylor, Texas. Aceasta este una dintre cele mai mari investiții ale Samsung în unități de producție de cipuri din afara țării sale natale, Coreea de Sud.

Mai multe rapoarte din Coreea de Sud menționează că Samsung modernizează rapid capacitățile fabricii sale din Texas, trecând-o de la tehnologia de producție de 4nm, la cea de 2nm. De asemenea, crește considerabil capacitatea de producție a unității.

Conform cu estimările făcute anterior, capacitatea ar fi de 20.000 de wafere pe lună. Se pare că Samsung se așteaptă acum ca această cifră să depășească 50.000 de wafere pe lună, mai mult decât dublu față de proiecțiile inițiale.

Sud-coreenii concurează cu TSMC pentru comenzi de 2 nm

Un aspect crucial al acestui proces de modernizare este că această evoluție este similară cu creșterea producției de 2 nm a TSMC la unitățile sale de producție de cipuri avansate din Taiwan.

Samsung concurează cu TSMC pentru comenzi de 2 nm și, după dificultățile cu care s-a confruntat cu procesul de 3 nm, compania speră că va avea clienți majori în calea sa.

Mai multe companii au semnat deja un contract, inclusiv Tesla, care va cheltui peste 16 miliarde de dolari pentru a-și produce cipurile avansate la fabrica Samsung din Texas.