Memorii flash Samsung pe 30 nm, pentru card-uri de 128 GB

13.05.2009
Memorii flash Samsung pe 30 nm, pentru card-uri de 128 GB

Era şi timpul să fie depăşită bariera de 32 GB pentru cardurile de memorie şi Samsung, unul dintre cei mai mari producători de cipuri NAND, se laudă cu primele produse ce folosesc procesul pe 30 nm. Momentan cardurile se vor limita la capacităţile de 4 GB, 8 GB, 16 GB şi 32 GB, însă drumul către cei 128 GB este acum teoretic accesibil. Samsung a avut până acum pe fostul proces de producţie pe 40 nm carduri cu o capacitate maximă de 16 GB, iar noua tehnologie a avut rezultate comerciale la doi ani de când a fost anunţată. Ţinând cont de modul în care s-a dezvoltat până acum segmentul memoriilor flash nu putem decât să ne aşteptăm cât mai curând la carduri de memorie pe care să încapă cu uşurinţă câteva mii de poze.

Samsung moviNAND pe 30 nm, pentru card-uri de 128 GB