Samsung a anunțat startul producției de masă pentru HBM4 și livrarea primelor unități comerciale, devenind astfel primul producător care aduce pe piață noua generație de memorie High Bandwidth Memory, a anunțat compania.
Mișcarea vine la scurt timp după ce Micron a respins zvonurile privind o eventuală întârziere a propriului program HBM4, semn că competiția în acest segment devine tot mai intensă.
Potrivit comunicatului oficial, Samsung utilizează DRAM de generația a șasea, din clasa 10 nm (1c), alături de un proces logic pe 4 nm. Compania susține că a obținut randamente ridicate încă de la început, fără a fi necesare reproiectări.
Noua memorie HBM4 oferă o viteză susținută de 11,7 Gbps, cu aproximativ 46% peste standardul industriei de 8 Gbps. Comparativ cu HBM3E, care atingea un maxim de 9,6 Gbps, creșterea este de circa 22%. În scenarii optimizate, viteza poate urca până la 13 Gbps.
În ceea ce privește lățimea de bandă, fiecare stack ajunge la un maxim de 3,3 TB/s, o creștere de 2,7 ori față de HBM3E. Pentru aplicațiile de inteligență artificială și high-performance computing, acest salt este esențial.
:format(webp):quality(100)/https://www.go4it.ro/wp-content/uploads/2026/02/Samsung-Semiconductors-Industry-First-Commercial-HBM4_main2.jpg)
În prima fază, Samsung livrează configurații HBM4 cu 12 straturi, în capacități între 24 GB și 36 GB. Ulterior, variantele cu 16 straturi vor extinde oferta până la 48 GB per stack.
Compania afirmă că noua generație aduce și o eficiență energetică îmbunătățită cu 40%, datorită tehnologiei TSV cu tensiune redusă și optimizării rețelelor de distribuție a energiei. Rezistența termică crește cu 10%, iar disiparea căldurii este îmbunătățită cu 30% comparativ cu HBM3E.
Aceste îmbunătățiri sunt critice pentru centrele de date și acceleratoarele AI, unde densitatea de putere și gestionarea temperaturii reprezintă provocări majore.
Potrivit relatărilor ZDNet, Samsung estimează că vânzările de HBM vor fi de peste trei ori mai mari în 2026 comparativ cu 2025, pe fondul cererii crescute din zona AI. Compania își extinde deja capacitățile de producție pentru a răspunde cererii.
După lansarea comercială a HBM4, mostrele pentru HBM4 E sunt programate pentru a doua jumătate a anului 2026. În 2027, Samsung intenționează să livreze și versiuni custom de HBM, adaptate specificațiilor clienților.
Rivalul direct, SK hynix, a prezentat la CES 2026 primul pachet HBM4 16-Hi din industrie. Potrivit Tom’s Hardware, compania a evidențiat densitățile obținute prin tehnologia MR-MUF și interfața de 2.048 de biți specifică HBM4.
Stivele prezentate ar funcționa la 10 GT/s, cu aproximativ 25% peste standardul JEDEC.
:format(webp):quality(100)/https://www.go4it.ro/wp-content/uploads/2026/02/global-hbm-output.jpg)
Lansarea comercială HBM4 marchează începutul unei noi etape în competiția pentru supremație în infrastructura AI. Creșterile de performanță și eficiență energetică sunt menite să susțină generațiile viitoare de acceleratoare și GPU-uri dedicate centrelor de date.
Pentru Samsung, startul producției de masă reprezintă un avantaj strategic important. Rămâne de văzut cum vor reacționa competitorii și cât de rapid va absorbi piața această nouă generație de memorie, într-un context în care cererea pentru AI continuă să crească accelerat.
![]()