Samsung anunță procesul de fabricație pe 2nm, cu tehnologie Gate-All-Around (GAA)

Disponibil abia din 2025, noul proces de fabricație Samsung pe 2nm ar putea să nu deservească în mod imediat fabricarea de chipseturi pentru smartphone.

Cu ocazia celei de-a cincea ediții a evenimentului Samsung Foundry Forum (SFF), gigantul sud-coreean a trasat planurile pentru trecerea la nodul de fabricație pe 3nm și în cele din urmă 2nm, folosind tranzistoare de tip Gate-All-Around (GAA). Astfel, primele cip-uri cu proces de fabricație pe 3nm vor putea fi livrate chiar de anul viitor, în timp ce versiunea perfecționată pe 2nm nu va fi disponibilă mai devreme de anul 2025.

Prins în competiție cu rivalul TSMC, Samsung depune eforturi susținute pentru implementarea celor mai avansate metode de fabricație a semiconductoarelor. Cu toate acestea, Samsung a fost în ultimii ani mai mereu cu un pas în urmă, compensând în schimb prin practicarea unor tarife mai mici ce au atras clienți importanți, precum NVIDIA.

Venind ca o soluție intermediară, interpretarea Samsung a procesului pe 3 nm combină atât tehnologia de avangardă GAA, cât și o tehnologie numită Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Comparat actualului nod de fabricație pe 5nm, noul proces pe 3nm va permite creșterea cu 30% a performanțelor, sau reducerea cu 50% a consumului de energie. Totodată, noile cipuri vor avea o dimensiune cu 35% mai mică a pastilei de siliciu, cu beneficii majore în ce privește reducerea costurilor de fabricație.

Samsung Foundry anunță vă livra primele comenzi pentru cip-uri pe 3nm începând cu anul 2022, o a doua versiune optimizată a acestui nod de fabricație urmând să fie disponibilă începând cu 2023.

Deși planurile Samsung pentru nodul pe 2nm vizează anul 2025, în mod realist așteptările pentru producția de masă ar trebui să vieze mai degrabă anul 2026 sau mai târziu, optimizarea metodelor de fabricație fiind un proces de durată, timp în care noile cipuri pe 2nm nu vor putea fi livrate în volum ridicat.