IBM oferă o alternativă la memoria Flash!

30.06.2011
IBM oferă o alternativă la memoria Flash!

IBM a anunţat un nou tip de memorie non-volatilă,
capabilă să atingă viteze de 100 de ori mai mari
decât memoria
NAND Flash
tradiţională, la operaţiile de scriere şi citire a
datelor.

Acest tip de memorie este bazat pe o variaţie a tehnologiei
phase change (PCM), al cărei principiu de
funcţionare presupune aplicarea unei mici sarcini electrice asupra
unui aliaj format din materiale cu proprietăţi speciale, prin care
acesta este încălzit şi trecut fie în stare cristalină, sau amorfă.
Noua stare de agregare este menţinută chiar şi în lipsa alimentării
cu energie electrică şi poate fi folosită pentru interpretarea în
sistem binar a valorii 1 sau 0.
Versiuni mai avansate ale tehnologiei phase change
permit memorarea a până la patru stări distincte, dublând practic
densitatea de stocare. Citirea informaţiilor este făcută aplicând
un curent electric cu intensitate redusă şi măsurând apoi
conductivitatea fiecărei celule – redusă în stare amorfă şi
crescută în stare cristalină.

Dacă până acum o serie de limitări tehnologice, care duceau la
pierderea informaţiilor înregistrate după o anumită perioadă de
timp, au împiedicat folosirea acestui tip de memorie pentru produse
de larg consum, cercetătorii de la IBM au reuşit să depăşească
aceste probleme şi chiar au îmbunătăţit considerabil
densitatea de stocare
a datelor.

IBM a demonstrat viabilitatea propriei versiuni a tehnologiei
phase change cu un prototip funcţional al unui
chip de memorie. Pe lângă viteze de transfer comparabile unui modul
de
memorie RAM
, noile chip-uri de memorie au avantajul unei
fiabilităţi mult îmbunătăţite, rezistând la cel puţin 10
milioane de cicluri scriere/citire
, spre deosebire de doar
câteva mii în cazul memoriei NAND Flash. Latenţele
la accesarea datelor sunt mai mici de 10
microsecunde
, sporul de performanţă la acest capitol fiind
de aproximativ 100 de ori, dacă luăm spre comparaţie cele mai
avansate memorii NAND Flash existente pe piaţă.

Chip-ul prototip demonstrat de IBM este fabricat în proces
CMOS pe 90 nm şi conţine doar 200.000 de celule
pentru înmagazinarea informaţiilor. Rămâne de văzut dacă chip-urile
de memorie PCM vor fi superioare celor NAND Flash şi în privinţa
costurilor de fabricaţie, sau densitatea
de stocare a informaţiei
, ambele fiind condiţii esenţiale
pentru asigurarea succesului pe piaţa dispozitivelor
SSD
şi nu numai.