Samsung a prezentat V10 BV-NAND, primul cip de stocare cu peste 400 de straturi destinat centrelor de date AI

Adaugă-ne ca sursă preferată în Google

Urmărește-ne in Discover

Samsung a prezentat noul cip de stocare V10 BV-NAND în cadrul expoziției Future of Memory and Storage (FMS) 2026. Noul produs utilizează arhitectura NAND verticală de generația a zecea și introduce o tehnologie care permite depășirea pragului de 400 de straturi.

V10 BV-NAND – Prima arhitectură bazată pe tehnologia wafer bonding

Aces nou cip NAND folosește o nouă tehnologie de lipire a plachetelor, cunoscută sub numele de wafer bonding. Potrivit Samsung, compania este primul producător care implementează această arhitectură într-un cip NAND.

Noua tehnologie permite integrarea a peste 400 de straturi de memorie, ceea ce duce la o densitate cu aproximativ 58% mai mare comparativ cu cipurile V9 NAND din generația anterioară.

V10 BV-NAND – Performanțe mai bune pentru aplicațiile AI

Samsung afirmă că noul său cip de memorie NAND oferă îmbunătățiri ale vitezelor de citire și scriere, precum și ale performanței operațiilor de intrare-ieșire (I/O).

În același timp, noul cip promite un consum redus de energie, aspect important pentru centrele de date și sistemele dedicate inteligenței artificiale.

Compania spune că V10 BV-NAND este proiectat pentru sarcini complexe, cu volume mari de date, specifice serverelor AI și platformelor de calcul de înaltă performanță.

Lansarea comercială nu are încă o dată

Samsung nu a anunțat când va începe producția comercială a cipurilor V10 BV-NAND.

Totuși, compania lasă să se înțeleagă că noua generație ar putea ajunge pe piață înainte de lansarea memoriei V11 NAND, programată pentru 2027.

Prin prezentarea acestui nou cip NAND și a conceptului zHBM, Samsung își continuă strategia de dezvoltare a soluțiilor de memorie și stocare dedicate infrastructurii AI și centrelor moderne de date.

Tot la Future of Memory and Storage (FMS) 2026, compania sud-coreeană a prezentat zHBM. Acesta este conceptul unei noi generații de memorie pentru acceleratoarele AI și centrele de date. Samsung susține că tehnologia zHBM poate oferi viteze de transfer de până la opt ori mai mari decât HBM5 și o densitate de memorie de peste zece ori mai ridicată.