Samsung anunță un progres major în designul tranzistorilor 3D, cu promisiuni pentru cipuri mai rapide și mai dense

Adaugă-ne ca sursă preferată în Google

Urmărește-ne in Discover

Samsung susține că a atins un nou prag tehnologic în dezvoltarea tranzistorilor 3D, un progres major care ar putea influența generațiile viitoare de procesoare și memorii. Compania a obținut recent o recunoaștere importantă în industrie, într-un moment în care încearcă să își consolideze poziția pe piața semiconductorilor.

Premiu important la VLSI 2026

Potrivit unor informații preluate de la SemiconductorsX, Samsung a câștigat premiul pentru cea mai bună lucrare prezentată la conferința VLSI 2026.

Distincția a fost acordată pentru un design de tip 3D Stacked FET, o arhitectură care permite integrarea unui număr mai mare de tranzistori într-un spațiu mult mai redus. Lucrarea a obținut un scor de 8,29 din 10, într-o competiție care a reunit peste 1.000 de propuneri.

Samsung just cracked a game-changing transistor breakthrough, stacking them vertically at the smallest size yet.

Samsung Electronics pulled off the industry’s smallest 3D stacked transistor (3D Stacked FET). Shrunk the gate pitch down to 42nm, beating the previous best of 48nm.… pic.twitter.com/ax01kFa2um

— Semiconductor Insider (@SemiconductorsX) June 17, 2026

Tranzistori suprapuși pentru o densitate dublă

Noua abordare presupune suprapunerea tranzistorilor pe verticală. Prin această metodă, suprafața ocupată de componente se reduce la jumătate.

Teoretic, tehnologia poate dubla densitatea tranzistorilor fără a fi nevoie de extinderea dimensiunii cipului. În plus, Samsung a reușit să reducă distanța dintre elementele tranzistorului, cunoscută drept „gate pitch”, de la 48 de nanometri la 42 de nanometri.

Această optimizare poate contribui la creșterea performanței și la îmbunătățirea eficienței energetice a viitoarelor procesoare.

Experiența Samsung în arhitecturile 3D

Compania sud-coreeană nu este la prima încercare în domeniul structurilor tridimensionale. Memoriile V-NAND și soluțiile HBM dezvoltate de Samsung utilizează deja arhitecturi construite pe verticală.

Experiența acumulată în aceste segmente ar putea accelera adoptarea noilor tehnologii și în zona procesoarelor.

Acest progres major, un semnal pozitiv pentru divizia Foundry

Anunțul vine într-o perioadă dificilă pentru divizia Foundry a Samsung. În ultimii ani, compania s-a confruntat cu probleme de randament în producție și a pierdut o serie de clienți importanți.

În același timp, mulți analiști au remarcat că distanța față de liderul industriei, TSMC, s-a mărit.

Deși un premiu academic nu rezolvă problemele de producție, recunoașterea obținută la VLSI 2026 demonstrează că Samsung continuă să investească în cercetare și dezvoltare. Pentru companie, succesul acestui proiect reprezintă un semnal că inovația rămâne un punct forte într-o industrie tot mai competitivă.