Din seria “nicio zi fără un zvon despre Samsung Galaxy S26”, astăzi aflăm, prin intermediul leaker-ului Ice Universe, ca producătorul sud-coreean are de gând să aducă memorie RAM mai rapidă pentru următoarea sa serie de smartphone-uri flagship. Astfel, întreaga familie Galaxy S26 ar urma să utilizeze memorie RAM de tip LPDDR5X cu viteza de 10,7 Gbps.
Folosirea de memorie de tip LPDDR5X nu ar fi o noutate pentru dispozitivele din gamele Galaxy S de la Samsung, fiind folosite de aceste device-uri încă de la seria S22, însă nu la aceste viteze de transfer. Spre exemplu, la flagship-urile Galaxy S25, memoria RAM atingea viteze de 9,6 Gbps.
Today’s leak is good news:
The entire Samsung Galaxy S26 series will use the highest-spec LPDDR5X 10.7Gbps memory currently in mass production, starting with 12GB.— PhoneArt (@UniverseIce) November 12, 2025
De asemenea, familia Galaxy S26 ar trebui să vină cu 12 GB de memorie RAM pentru toate modelele sale – S26, S26 Plus, S26 Ultra –, însă această memorie va fi cu 10% mai rapidă decât la seria anterioară. În 2022, la introducerea memoriei de tip LPDDR5X pe dispozitivele Galaxy S, aceasta avea o viteză de “numai” 8,6 Gbps.
În aprilie 2024, Samsung a făcut trecerea la memoria RAM de LPDDR5X cu viteza de 9,6 Gbps, construită într-un proces de fabricație pe 12 nm. Iar acum, pentru seria Galaxy S26, este de așteptat ca Samsung să-și echipeze întreaga familie Galaxy S26 cu memorie RAM de fabricație proprie, cu viteza de 10,7 Gbps.
Viitoarele smartphone-uri flagship de la Samsung, Galaxy S26, S26 Plus și S26 Ultra, ar urma să fie lansate în cadrul unui event special Galaxy Unpacked, programat pentru 25 februarie 2026.
Sursa: GSM Arena, Ice Universe pe X / Twitter