Expansiunea accelerată a aplicațiilor de inteligență artificială generează o creștere explozivă a cererii pentru cipuri de memorie. În acest context, compania taiwaneză PSMC atrage atenția printr-un parteneriat strategic cu Intel și grupul japonez SoftBank Group.
Colaborarea vizează dezvoltarea și producția unei noi generații de memorie pentru inteligență artificială, oferind Taiwanului șansa de a obține un rol semnificativ într-un segment dominat până acum de giganți precum Samsung Electronics, SK hynix și Micron Technology.
Inițiativa comună dintre Taiwan, SUA și Japonia are ca obiectiv dezvoltarea unei noi tehnologii denumite Z-Angle Memory (ZAM), destinată aplicațiilor AI și HPC (high-performance computing).
Aceasta își propune să depășească limitările actualelor soluții HBM (High Bandwidth Memory) în materie de capacitate, eficiență energetică și viteză de transfer al datelor.
În cadrul parteneriatului, responsabilitățile sunt clar delimitate. O nouă entitate creată de SoftBank, Saimemory, coordonează designul și administrarea proprietății intelectuale. Intel contribuie cu expertiza sa în arhitectura memoriei și tehnologiile de stacking, în timp ce PSMC și compania japoneză Shinko Electric Industries vor susține producția pilot și procesul de fabricație.
Prototipul este programat să fie finalizat până în 2027, iar producția comercială de masă este estimată pentru 2029.
Noul produs ar urma să integreze inițiativa Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB), bazată pe tehnici avansate de interconectare și ambalare multistrat.
Reprezentanții Intel au subliniat că arhitecturile tradiționale de memorie nu mai pot ține pasul cu cerințele tot mai mari ale aplicațiilor AI. Prin utilizarea tehnologiilor de stacking pe mai multe straturi și a unor metode inovatoare de interconectare, noua memorie ar putea crește performanța, reducând simultan consumul de energie și costurile de producție.
ZAM a fost prezentată public pentru prima dată în cadrul evenimentului Intel Connection Japan 2026, organizat pe 3 februarie.
Primele informații din industrie indică avantaje semnificative. Noua tehnologie ar putea reduce consumul de energie cu 40-50%, ar simplifica procesul de producție prin utilizarea interconectărilor în unghi (Z-Angle) și ar putea permite integrarea unei capacități de până la 512 GB pe cip.
Rămâne de văzut în ce măsură Z-Angle Memory va putea concura direct cu HBM, însă inițiativa reprezintă o mișcare strategică importantă.
Efortul comun al Taiwanului, Statelor Unite și Japoniei ar putea deschide un nou drum tehnologic în domeniul memoriei pentru AI, reducând dependența de actualele lanțuri de aprovizionare și consolidând poziția PSMC ca actor relevant în producția de memorie avansată.
Într-o industrie dominată de inovație rapidă și competiție intensă, proiectul ZAM marchează o tentativă ambițioasă de a redefini standardele memoriei pentru era inteligenței artificiale.