MeRAM, un posibil înlocuitor pentru memoriile Flash actuale

20.12.2012
MeRAM, un posibil înlocuitor pentru memoriile Flash actuale

Memoria RAM magnetorezistivă este produs care este dezvoltat de la începutul anilor `90, dezvoltarea acesteia neprimind prea multă atenţie din cauza preţurilor din ce în ce mai scăzute ale memoriilor DRAM şi NAND. MRAM doreşte să le înlocuiască pe ambele, devenind astfel o memorie universală, atât pentru stocarea pe termen scurt, pentru procesare, cât şi pe termen lung, pentru stocare. Faţă de DRAM, MRAM nu stochează încărcări electrice, ci magnetice, într-un mod asemănător cunoscutelor hard-disk-uri.

Mai mulţi cercetători de la University of California Los Angeles, conduşi de profesorul Kang L Wang, angajat al concernului militar Raytheon, au anunţat că au pus la punct o tehnologie care ar permite realizare unor memorii MRAM mai eficiente. Denumită Spintronics, aceasta este o îmbunătăţire a uneia dintre cele mai avansate tipuri de memorie MRAM, Spin Transfer Torque RAM, şi permite utilizarea unor diferenţe de potenţial între straturile feromagnetice succesive ale unei celule de memorie, înlocuind astfel tensiunile directe necesare acum pentru scrierea şi citirea datelor. Tehnologia dezvoltată la UCLA foloseşte două staturi magnetice izolate între ele, unul fix şi unul a cărui orientare poate fi schimbată prin aplicarea unei sarcini electrice, diferenţele de potenţial apărute putând fi folosite pentru scrierea sau citirea datelor.

Prin acest nou mod de proiectare, memoriile care folosesc tehnologia STT-RAM modificată (denumite acum de aceşti cercetători MeRAM, pentru a le diferenţia de vechile produse MRAM), degajează mai puţină căldură, au un consum mai mic de energie şi elimină problemele pe care celulele standard MRAM le manifestă în momentul în care se depăşeşte un prag minim al densităţii. Mai mult, energia necesară scrierii, mai mare decăt cea necesară citirii, poate fi şi ea redusă, aducând încă un spor de eficienţă.

Cercetătorii nu sunt siguri cât de eficiente pot deveni celulele de memorie MeRAM, utilizarea Spintronics permiţând reduceri ale consumului energetic la niveluri care pleacă de la o zecime şi poate ajunge chiar la o miime. Datorită acestei eficienţe, noile memorii care vor putea folosi Spintronics vor deveni si de cinci ori mai dense decât o memorie MRAM standard, devenind astfel şi mai ieftine. Când anume vom vedea aceste memorii şi cât de repede ar putea înlocui actualele memorii NAND sau DRAM, rămâne de văzut în anii care vor urma.